Substrate GaAs
Terîf
Galium Arsenide (GaAs) komek girîng û gihîştî ya III-Ⅴ nîvconduktorê tevlihev e, ew bi berfirehî di warê optoelektronîk û mîkroelektronîkê de tê bikar anîn.GaAs bi gelemperî li du kategoriyan têne dabeş kirin: GaAs-nîv-însulasyon û GaA-yên N-tîpê.GaAs-ya nîv-însulasyonê bi piranî ji bo çêkirina çerxên yekbûyî bi strukturên MESFET, HEMT û HBT, ku di radar, pêlên mîkro û pêlên mîlîmetreyî, komputerên bilez-bilind û danûstendinên fîbera optîkî de têne bikar anîn, têne bikar anîn.Tîpa N-ya GaAs bi giranî di LD, LED, lazerên infrared ên nêzê, lazerên bi hêza bilind a quantum û hucreyên tavê yên bi karîgerî de têne bikar anîn.
Taybetmendiyên
| Krîstal | Dop kirin | Conduction Type | Kombûna Herikandinê cm-3 | Density cm-2 | Rêbaza Mezinbûnê |
| GaAs | Netû | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Pênaseya Substrate GaAs
Substrata GaAs ji substratek ji madeya krîstal a galium arsenîd (GaAs) hatî çêkirin vedibêje.GaAs nîvconduktorek tevlihev e ku ji hêmanên galium (Ga) û arsenîk (As) pêk tê.
Substratên GaAs bi gelemperî di warên elektronîk û optoelektronîkê de ji ber taybetmendiyên xwe yên hêja têne bikar anîn.Hin taybetmendiyên sereke yên substratên GaAs hene:
1. Tevgera elektronek bilind: GaAs ji materyalên din ên nîvconductor yên hevpar ên wekî silicon (Si) xwedan tevgera elektronek bilindtir e.Ev taybetmendî substrate GaAs ji bo alavên elektronîkî yên bi frekansa bilind-hêza bilind maqûl dike.
2. Xala bandê ya rasterast: GaAs xwedan valahiyek bandê ya rasterast e, ku tê vê wateyê ku dema ku elektron û kun ji nû ve li hev bicivin, ronahiya bikêr çêdibe.Ev taybetmendî substratên GaAs ji bo sepanên optoelektronîkî yên wekî dîodên ronahiyê (LED) û lazeran îdeal dike.
3. Bandgap Berfireh: GaAs xwedan bandgapek ji silicon firehtir e, ku dihêle ew di germahiyên bilind de bixebite.Ev taybetmendî dihêle ku cîhazên bingeha GaAs-ê di hawîrdorên germahiya bilind de bi bandortir bixebitin.
4. Dengê kêm: Substratên GaAs astên dengî yên kêm nîşan didin, ku wan ji bo amplifikatorên deng kêm û sepanên din ên elektronîkî yên hesas minasib dike.
Substratên GaAs bi berfirehî di cîhazên elektronîkî û optoelektronîkî de têne bikar anîn, di nav de transîstorên bilez, çerxên yekbûyî yên mîkropêl (ICs), hucreyên fotovoltaîk, detektorên fotonê, û hucreyên rojê.
Van substrat dikarin bi karanîna teknolojiyên cihêreng ên wekî Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Epitaxy Beam Molecular (MBE) an Epitaxy Qonaxa Hêvî (LPE) werin amadekirin.Rêbaza mezinbûna taybetî ya ku tê bikar anîn bi serîlêdana xwestî û pêdiviyên kalîteyê yên substrate GaAs ve girêdayî ye.
