Substrate SiC
Terîf
Silicon carbide (SiC) pêkhateyek binar ya Koma IV-IV e, ew di Koma IV ya Tabloya Peryodîk de yekane pêkhateya zexm a bi îstîqrar e, Ew nîvconduktorek girîng e.SiC xwedan taybetmendiyên germî, mekanîkî, kîmyewî û elektrîkî yên hêja ye, ku ew dike ku ew bibe yek ji çêtirîn materyalên ji bo çêkirina amûrên elektronîkî yên bi germahiya bilind, frekansa bilind û hêza bilind, SiC jî dikare wekî materyalek substratê were bikar anîn. ji bo dîodên ronahiya şîn ên bingehîn ên GaN.Heya nuha, 4H-SiC hilberên sereke yên li sûkê ye, û celebê rêvegirtinê li celebê nîv-îzolasyon û celebê N tê dabeş kirin.
Taybetmendiyên
| Şanî | 2 inch 4H N-type | ||
| Çap | 2inch (50.8mm) | ||
| Qewîtî | 350+/-25um | ||
| Orientation | ji hêlekê 4.0˚ ber bi <1120> ± 0.5˚ | ||
| Orientation Flat Seretayî | <1-100> ± 5° | ||
| Duyemîn Xanî Orientation | 90,0˚ CW ji Daîreya Seretayî ± 5,0˚, Si Rûyê jor | ||
| Dirêjahiya Xanî ya Seretayî | 16 ± 2.0 | ||
| Duyemîn Flat Length | 8 ± 2.0 | ||
| Sinif | Dereceya hilberînê (P) | Pola lêkolînê (R) | Dereceya durist (D) |
| Berxwedan | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Density Micropipe | ≤ 1 mîkropîp/cm² | ≤ 1 0 mîkropipe/cm² | ≤ 30 mîkropîp/cm² |
| Zehmetiya Rûyê | Si rû CMP Ra <0,5nm, C Face Ra <1 nm | N/A, qada bikêr> 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10 m | < 15 um |
| Girêk | <±8 um | <±10um | <±15 um |
| Warp | < 15 um | < 20 um | <25 um |
| Cracks | Netû | Dirêjahiya berhevkirî ≤ 3 mm | Dirêjahiya berhevkirî ≤10mm, |
| Scratches | ≤ 3 xêzkirin, komkirî | ≤ 5 xêzkirin, komkirî | ≤ 10 xêzkirin, komkirî |
| Hex Plates | herî zêde 6 lewheyên, | herî zêde 12 pîl, | N/A, qada bikêr> 75% |
| Herêmên Polytype | Netû | Qada kombûyî ≤ 5% | Qada kombûyî ≤ 10% |
| Gemarkirî | Netû | ||
